1.学好半导体物理要学好那几门课
我学习的是微电子专业，主要的研究方向就是固体物理。
我现在学的专业知识有这么几门：半导体物理器件、集成电路制造工艺、微电子材料。主要的科目就这三门。
你所说的量子力学是在微电子材料中学习到的，既然你问量子力学和他的关系，那么我就简洁明了地说好了：研究物体分为宏观研究和微观研究。量子力学除了应用到原子、分子、原子核、粒子等微观体系外，它还被应用到固体领域等复杂体系，用它解释了铁磁体、铁电体等物质的电磁性质，也解释了为什么有些材料是绝缘体，有些是导体。
在学习这两门课程（半导体物理、固体物理）之前，我先学习了：电路基础、高等数学、化学、物理、模拟电路、数字电路、VisualBasic，这其中最重要的是电路基础、数字电路、模拟电路三门。其它的稍微学习一下就可以了。
另外半导体物理、固体物理于数学和英语不同，不是一环扣一环的，只要掌握了一些基础知识加上后天的钻研就一定可以学好的。我现在就是正在学习中，个人感觉你所说的两门都非常重要，不过想要学习好要有很大的毅力啊！加油，祝你成功。
2.半导体基础知识方面
半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。
半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。
今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
3.半导体有关知识
半导体
导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体.
例如：锗、硅、砷化镓等.
半导体在科学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用.（例如：电视、半导体收音机、电子计算机等）
半导体的一些电学特性
①压敏性：有的半导体在受到压力后电阻发生较大的变化.
用途：制成压敏元件，接入电路，测出电流变化，以确定压力的变化.
②热敏性：有的半导体在受热后电阻随温度升高而迅速减小.
用途：制成热敏电阻，用来测量很小范围内的温度变化.
③光敏性，有的半导体在光照下电阻大为减小.
用途：制成光敏电阻，用于对光照反映灵敏的自动控制设备中.
4.半导体工作原理
.1 半导体物理基础 本章从半导体器件的工作机理出发，简单介绍半导体物理基础知识，包括本征半导体，杂质半导体，PN结；分别讨论晶体二极管的特性和典型应用电路，双极型晶体管和场效应管的结构，工作机理，特性和应用电路，重点是掌握器件的特性. 媒质 导体：对电信号有良好的导通性，如绝大多数金属，电解液，以及电离气体.绝缘体：对电信号起阻断作用，如玻璃和橡胶，其电阻率介于108 ~ 1020 ·m. 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅 （Si） ，锗 （Ge） 和砷化镓 （GaAs） .半导体的导电能力随温度，光照和掺杂等因素发生显著变化，这些特点使它们成为制作半导体元器件的重要材料.4.1.1 本征半导体 纯净的硅和锗单晶体称为本征半导体.硅和锗的原子最外层轨道上都有四个电子，称为价电子，每个价电子带一个单位的负电荷.因为整个原子呈电中性，而其物理化学性质很大程度上取决于最外层的价电子，所以研究中硅和锗原子可以用简化模型代表 .每个原子最外层轨道上的四个价电子为相邻原子核所共有，形成共价键.共价键中的价电子是不能导电的束缚电子. 价电子可以获得足够大的能量，挣脱共价键的束缚，游离出去，成为自由电子，并在共价键处留下带有一个单位的正电荷的空穴.这个过程称为本征激发.本征激发产生成对的自由电子和空穴，所以本征半导体中自由电子和空穴的数量相等.价电子的反向递补运动等价为空穴在半导体中自由移动.因此，在本征激发的作用下，本征半导体中出现了带负电的自由电子和带正电的空穴，二者都可以参与导电，统称为载流子. 自由电子和空穴在自由移动过程中相遇时，自由电子填入空穴，释放出能量，从而消失一对载流子，这个过程称为复合， 平衡状态时，载流子的浓度不再变化.分别用ni和pi表示自由电子和空穴的浓度 （cm-3） ，理论上 其中 T 为绝对温度 （K） ;EG0 为T = 0 K时的禁带宽度，硅原子为1.21 eV，锗为0.78 eV;k = 8.63 10- 5 eV / K为玻尔兹曼常数；A0为常数，硅材料为3.87 1016 cm- 3 K- 3 / 2，锗为1.76 1016 cm- 3 K- 3 / 2. 4.1.2 N 型半导体和 P 型半导体 本征激发产生的自由电子和空穴的数量相对很少，这说明本征半导体的导电能力很弱.我们可以人工少量掺杂某些元素的原子，从而显著提高半导体的导电能力，这样获得的半导体称为杂质半导体.根据掺杂元素的不同，杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体. 一，N 型半导体 在本征半导体中掺入五价原子，即构成 N 型半导体.N 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个自由电子，从而大量增加了自由电子的浓度一一施主电离 多数载流子一一自由电子 少数载流子一一空穴 但半导体仍保持电中性 热平衡时，杂质半导体中多子浓度和少子浓度的乘积恒等于本征半导体中载流子浓度 ni 的平方，所以空穴的浓度 pn为 因为 ni 容易受到温度的影响发生显著变化，所以 pn 也随环境的改变明显变化. 自由电子浓度 杂质浓度 二，P 型半导体 在本征半导体中掺入三价原子，即构成 P 型半导体.P 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个空穴，从而大量增加了空穴的浓度一一受主电离 多数载流子一一空穴 少数载流子一一自由电子 但半导体仍保持电中性 而自由电子的浓度 np 为 环境温度也明显影响 np 的取值. 空穴浓度 掺杂浓庹4.1.3 漂移电流和扩散电流 半导体中载流子进行定向运动，就会形成半导体中的电流.半导体电流 半导体电流 漂移电流：在电场的作用下，自由电子会逆着电场方向漂移，而空穴则顺着电场方向漂移，这样产生的电流称为漂移电流，该电流的大小主要取决于载流子的浓度，迁移率和电场强度.扩散电流：半导体中载流子浓度不均匀分布时，载流子会从高浓度区向低浓度区扩散，从而形成扩散电流，该电流的大小正比于载流子的浓度差即浓度梯度的大小.4.2 PN 结 通过掺杂工艺，把本征半导体的一边做成 P 型半导体，另一边做成 N 型半导体，则 P 型半导体和 N 型半导体的交接面处会形成一个有特殊物理性质的薄层，称为 PN 结. 4.2.1 PN 结的形成 多子扩散 空间电荷区，内建电场和内建电位差的产生 少子漂移 动态平衡 空间电荷区又称为耗尽区或势垒区.在掺杂浓度不对称的 PN 结中，耗尽区在重掺杂一边延伸较小，而在轻掺杂一边延伸较大.4.2.2 PN 结的单向导电特性 一，正向偏置的 PN 结 正向偏置 耗尽区变窄 扩散运动加强，漂移运动减弱 正向电流 二，反向偏置的 PN 结 反向偏置 耗尽区变宽 扩散运动减弱，漂移运动加强 反向电流 PN 结的单向导电特性：PN 结只需要较小的正向电压，就可以使耗尽区变得很薄，从而产生较大的正向电流，而且正向电流随正向电压的微小变化会发生明显改变.而在反偏时，少子只能提供很小的漂移电流，并且基本上不随反向电压而变化.4.2.3 PN 结的击穿特性 当 PN 结上的反向电压足够大时，其中的反向电流会急剧增大，这种现象称为 PN 结的击穿. 雪崩击穿：反偏的 PN 结中，耗尽区中少子在漂移运动中被电场作功，动能增大.当少子的动能足以使其在与价电子碰撞时发生碰撞电离，把价电子击出共价键，产生一对自由电子和空穴，连锁碰撞使得耗尽区内的载流子数量剧增，。
5.求助半导体基础知识
半导体就是介于导体与绝缘体之间的物质。它分为本征半导体和杂志半导体。
本征半导体：纯净晶体结构的半导体称之为本征半导体。常用的材料如：硅和锗。它们都是四价元素，即原子轨道的最外层有4个电子。当把它们制作成晶体时，它们是靠共价键的作用紧密联系在一起的。
杂质半导体：在本征半导体掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体成为杂质半导体。
N型半导体：
在本征半导体中掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所替代，因为杂质原子最外层有5个价电子，它与周围原子形成共价键后还多于一个自由电子，因此使空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。
P型半导体：
在本征半导体中掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围原子形成共价键后还多余一个空穴，因此使空穴的浓度远大于自由电子的浓度。
6.搞掩膜（半导体）的话最好学些什么专业知识
1，半导体产业介绍
2，半导体材料特性
3，器件技术
4，硅和硅片制备
5，半导体制造中的化学品
6，硅片制造中的沾污控制
7，测量学和缺陷检查
8，工艺腔内的气体控制
9，集成电路制造工艺概况
10，氧化
11，淀积
12，金属化
13，光刻：气相成底膜到软烘
14，光刻：对准和曝光
15，光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术
16，刻蚀
17，离子注入
18，化学机械平坦化
19，硅片测试
20，装配与对封
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很高兴为楼主解答
以上回答仅供参考
具体可以联系学校
7.半导体基本原理
电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。
半导体室温时电阻率约在10E-5~10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体（东北方言）：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。 本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。
在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 – 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。
这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。
复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 – 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。
温度升高时，将产生更多的电子 – 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。
半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，负的电阻率温度特性，整流特性。 ★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。
共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。 自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。
空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。
空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。 本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。
自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。 载流子：运载电荷的粒子称为载流子。
导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。 本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。
本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。
动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。 载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。
当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。 结论：本征半导体的导电性能与温度有关。
半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。 杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。 多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，简称多子。
少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。 施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。
N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。 P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。
多子：P型半导体中，多子为空穴。 少子：P型半导体中，少子为电子。
受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。 P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。
结论： 多子的浓度决定于杂质浓度。 少子的浓度决定于温度。
PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。 PN结的特点：具有单向导电性。
扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。 空间电荷区：扩散到P区的自由电子与空穴复合，而。
8.说一说有关半导体的知识
一、半导体基本概念
1、半导体及其导电性能
根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。
半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3~10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性，这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能
本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时，本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象
当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。
游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理
自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
5、杂质半导体
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素（如磷），就形成N型（电子型）半导体；掺入三价元素（如硼、镓、铟等）就形成P型（空穴型）半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂浓度和温度有关，掺杂浓度越大、温度越高，其导电能力越强。
在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
多子（自由电子）的数量=正离子数+少子（空穴）的
数量
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
多子（空穴）的数量=负离子数+少子（自由电子）的
数量
